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晶振的静态电容(Shunt Capacitance, C0 )

发布时间:2026/5/12

晶振的静态电容(Shunt Capacitance, C0 )

关于晶振的静态电容(Shunt Capacitance, C0 )概念,解释如下:

按一定角度被切割而成的石英晶片的两个表面涂上金属层做电极,通过引线与管脚相连,再加上封装外壳,就是我们看到的单个无源晶振。而静态电容C0主要是以两个电极镀层之间形成的电容为主,另外一小部份的静态电容来自连接晶片与接线的导电材料之间的寄生电容和封装外壳的寄生电容。寄生电容比较小,可以忽略不计。静态电容与石英晶振的介电系数、电极面积以及晶片的厚度有关,与晶振频率无直接关联。

晶诺威产49S 25MHz 20PF ±20PPM无源晶振测试数据如下:

晶振的静态电容(Shunt Capacitance, C0 )

静态电容是在远低于振荡频率的范围量测出来的, 以避免再受到振荡频率附近的动态电容影响。

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