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晶振负载电容CL与振荡电路的关系

发布时间:2026/5/14

晶振负载电容CL与振荡电路的关系

晶振负载电容CL与振荡电路的关系如下:

在无源晶振振荡电路中,必须创造足够的“负性阻抗",以抵消从 ESR 和维持振荡的电流损失。晶振负载电容值 CL 不是振荡电路的一部分,而是晶振本身在制造中设定的固定值。

在无源晶振实际电路应用中,我们为了获得其共振后的目标频率,必须加载该电容CL 。如果你使用的32MHz晶振负载电容 CL=12pF,却加载了偏低的负载,如 外接负载=6pF ,那么,该晶振的实际输出频率会偏高于目标频率(32.000000MHz)。同理,如果你加载的 外接负载高于指定晶振负载值CL,如外接负载=30pF,晶振输出频率将会低于目标频率(32.000000MHz)。

另外,如果加载的外接负载电容 太高,晶振可能无法抵消ESR的能量损耗而发生起振慢或停振现象。

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