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晶振的负载电容与外接电容的区别与关系

发布时间:2026/4/271

晶振的负载电容与外接电容的区别与关系

经常遇到有人把晶振的负载电容与外接电容混淆,甚至还有人误以为这是指同样的参数。这里需要特别指出的是: 若你这样想,就大错特错了。

负载电容指的是晶振的一个内部重要电气参数。

一般情况下,对功耗不太敏感的电子设备PCBA上,常见的晶振负载电容为 15PF、18PF、20PF。那么,诸如腕表、手机、蓝牙耳机等对低功耗明显有较高需求的电子产品,PCBA上常采用的为负载电容较小的晶振,比如6PF、7PF、9PF、10PF、12PF。

晶振的负载电容与外接电容的区别与关系

(晶诺威科技产无源贴片晶振SMD2016电气参数)

晶振的负载电容在生产环节已经根据需求通过加工工艺锁定,在应用中无法更改。

晶振的外接电容是指在PCBA板上分别与晶振频率输入脚与输出脚串联的电子元件。外接电容值的大小由晶振负载电容与电路板杂散电容(包括IC电容在内)所决定,通常为这两者之和。

在振荡电路应用中,晶振负载电容、杂散电容与外接电容之间的关系示意图如下:

晶振的负载电容与外接电容的区别与关系注:
1、 CL: 石英晶体谐振器的负载电容。

2、Cs: 指杂散电容,包括IC内部的杂散容值、电路板布线间的电容量、PCB板各层之间的寄生电容等。

3、C1 和 C2:分别指石英晶体谐振器在电路应用中的两颗外接电容。

外接电容的应用目的:

※晶诺威科技温馨提示:

晶振的负载电容与外接电容的区别与关系

1、外接电容所起到的作用仅仅是对晶振频率进行微调。若晶振工作时频偏过大,就需要考虑晶振本身精度的原因,比如晶振精度是否不能满足芯片要求而更改为精度更高的晶振。

2、外接电容仅用于无源晶振的应用。在有源晶振的电路应用中,无需外接电容。

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