若40MHz晶振负载电容为8pF，外部电容选择多大？

答：推荐10pF~12pF。

晶体振荡器的负载电容 CL 由以下公式定义：

CL = (C1 × C2) / (C1 + C2) + Cstray

其中：

C1, C2：就是我们选择的外部两个电容，通常为了对称，取相同值。

Cstray：是电路的杂散电容。这包括晶振本身的管脚电容、MCU引脚的输入输出电容、PCB走线之间的寄生电容等。这个值通常在2pF到5pF之间，对于精确设计，需要参考MCU和晶振的数据手册，但在绝大多数普通双层板应用中，我们通常估算为3pF到5pF。

在批量生产前，用高精度频率计测量一下实际振荡频率。如果频率略微偏慢，说明负载电容偏大，可以适当减小 C1/C2；如果频率略微偏快，说明负载电容偏小，可以适当增大 C1/C2。

40MHz属于较高频率，通常为低功耗RF射频应用，PCB布局非常重要：晶振要紧靠MCU的振荡引脚，走线尽量短而粗，用地线包围进行隔离，远离噪声源和电源线。